题目：半导体高分子在近红外二区荧光成像中的应用

报告人：范曲立 教授，国家“万人计划”中青年科技创新领军人才

时间：2019年3月23日（周六）上午10:00

地点：医学楼402栋一楼A101会议室

      欢迎广大师生踊跃参加！

           放射医学与防护学院

报告简介：

相较于传统的近红外一区（NIR-I, 750-900nm）荧光生物成像技术，新近发展的近红外二区（NIR-II，1000nm～1700nm）荧光成像由于检测更长的发射波长，可显著降低生物组织对光的散和射吸收以及自发荧光的影响，使探测深度更深、空间分辨率更高。该技术的发展瓶颈是缺乏能够在复杂动态生理环境中有效的压制背景信号干扰，获得靶向超高特异性成像的造影剂。本研究通过充分利用半导体高分子具有光稳定性和光捕获能力强、荧光亮度高、组织渗透和滞留效应好、带隙和荧光发射波长易调节等特性，发展了一系列智能激活的NIR-II荧光半导体高分子探针，实现了对威胁人类健康的重大疾病的早期精确性诊断，并对这些疾病的病理进程变化进行相关研究。

报告人简介：

范曲立，男，江苏无锡人，南京邮电大学材料科学与工程学院教授，博士生导师。1996年和1999年先后于南京大学获得高分子化学与物理专业学士和硕士学位，2003年于新加坡国立大学获理学博士学位，2003年就职于复旦大学，2006年8月加盟南京邮电大学。2012年到2014年作为访问学者赴斯坦福大学进行有机半导体材料在诊疗方面应用研究。近五年，作为第一或通讯作者在 Nature Communications、 Journal of theAmerican Chemical Society、 Advanced Materials、 ACS Nano、 Advanced FunctionalMaterials、 Macromolecules、 Biomacromolecules、 Biomaterials 等国际期刊上发表文章 65 篇， 38 篇 IF>5， 13 篇 IF>10，他引 1208 次，单篇最高他引 112 次， 4篇 ESI 高被引论文， H-index 为 46，授权专利 8 项。受 Wiley-VCH 和科技出版社邀请撰写书章节和书，多次受邀做国际学术会议报告。先后主持和参与国家重点基础研究发展计划、国家自然科学基金重点、面上项目等 10 余项， 12 年获国家优秀青年科学基金， 13 年获国家自然科学二等奖，获多项省部级科技奖励， 14 年入选“国家百千万人才工程”， 19 年入选国家“万人计划”中青年科技创新领军人才。